Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

dc.contributor.author	Храмов, Е.Ф.
dc.contributor.author	Прохоров, Г.В.
dc.contributor.author	Пелихатый, Н.М.
dc.contributor.author	Гнап, А.К.
dc.date.accessioned	2014-11-09T07:49:00Z
dc.date.available	2014-11-09T07:49:00Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618
dc.description.abstract	Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.	uk_UA
dc.description.abstract	This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами	uk_UA
dc.title.alternative	Explosive crystallization thin films of semiconductors at γ-quantums irradiation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA