Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Планарные LC-резонаторы с распределенными параметрами и их применение 
    Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Хвостенко, А.А.; Заруба, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведена конструкция LC-резонатора с распределенными параметрами. Получены эквивалентные схемы резонатора при различных вариантах его включения. Показано, что на частотах ниже граничной резонатор представляется параллельной ...
  • Повышение информативности контроля композиционных материалов методом низкоскоростного удара 
    Еременко, В.С.; Еременко, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассматривается методика определения информативных параметров импульсов силы ударного взаимодействия при контроле композиционных материалов методом низкоскоростного удара. Предложено использовать в качестве диагностических ...
  • Приборы определения солености воды на основе индуктивных балансных сенсоров 
    Негоденко, О.Н.; Черевко, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Для определения солености питьевой воды предлагается двухкатушечный индуктивный балансный сенсор, а для воды заземленных водоемов — трехкатушечный. В первом случае полезный сигнал выводится на стрелочный индикатор, во ...
  • Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника 
    Мамедов, А.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на ...
  • Способ измерения массы (веса) движущихся объектов 
    Скубилин, М.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предлагается способ измерения (контроля) массы (веса) объектов, состоящий в измерении сил взаимного тяготения чувствительного элемента гравиметра при отсутствии и при наличии объекта в заданном пространстве и в преобразовании ...
  • Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов 
    Терлецкая, Л.Л.; Калиниченко, Л.Ф.; Голубцов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии ...
  • Установка толстослойного анодирования алюминия 
    Сокол, В.А.; Игнашев, Е.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    С целью повышения эффективности охлаждения пластин при получении оснований из анодированного алюминия предложено производить процесс толстослойного анодирования при непрерывном движении пластин. На этом принципе создана ...
  • Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия 
    Ковалюк, З.Д.; Махний, В.П.; Янчук, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис