Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Лаврич, Ю.Н.
dc.contributor.author Плаксин, С.В.
dc.contributor.author Крысь, В.Я.
dc.contributor.author Погорелая, Л.М.
dc.contributor.author Соколовский, И.И.
dc.date.accessioned 2014-11-08T10:23:36Z
dc.date.available 2014-11-08T10:23:36Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.citation Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин, В.Я. Крысь, Л.М. Погорелая, И.И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 24-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.other DOI: 10.15222/TKEA2014.2-3.24
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70551
dc.description.abstract Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника. uk_UA
dc.description.abstract Розроблено двохканальний комутатор НВЧ-потужності в 3-см діапазоні довжини хвиль з використанннням двох об'ємних напівпровідникових структур, які мають негативну диференціальну провідність, з вольт-амперними характеристиками N- та S-подібними формами. Ці структури реалізують функції амплітудного модулятора потужності на діоді Ганннна та комутатора на діоді з халькогенідного склоподібного напівпровідника. uk_UA
dc.description.abstract The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimeter range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject СВЧ-техника uk_UA
dc.title Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур uk_UA
dc.title.alternative Двохканальний перемикач НВЧ-потужності на основі електрично активних напівпровідникових структур uk_UA
dc.title.alternative Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.316.7


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис