Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K

Abstract

При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀.

The electrical conductivity has been measured with rise and release of pressure at high pressure up to 50 GPa in ZnAs₂, a conclusion of the presence of the structural phase transition at P ≈ 40 GPa has been drawn. According to temperature dependence of the electrical resistance, it was shown that electrical conductivity is defined by activation mechanisms in the temperature range 250−400 K, the activation energy changing with temperature and pressure change. Baric dependences for the activation energy and the coefficient R₀ have been calculated.