Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия

Abstract

Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa.

Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa.

The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure.