Шарибаев, Н.Ю.
(Физическая инженерия поверхности, 2013)
С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная
зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. ...