Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика и техника высоких давлений
→
Физика и техника высоких давлений, 2009 (том 19)
→
Физика и техника высоких давлений, 2009, № 4
→
Переглянути статтю

Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами

Дьяченко, А.И. ; Бойченко, Д.И. ; Таренков, В.Ю.

Інші назви: Гістерезис вольт-амперних характеристик в наноконтактах з манганітами
Hysteresis of the current-voltage characteristics in nanojunctions with manganites

Інший ID: PACS: 81.30.Kf, 71.27.+a, 71.38.+1, 75.50.Cc

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69241

Посилання: Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами / А.И. Дьяченко, Д.И. Бойченко, В.Ю. Таренков // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 4. — С. 36-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Дата: 2009

Завантажень: 336

Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами

Анотація:

Приведены экспериментальные данные, доказывающие активационный характер гистерезиса вольт-амперных характеристик (ВАХ) в туннельных контактах с манганитами. Полученные результаты объясняются спецификой оксидных барьеров, образованных на поверхности манганитов.

Наведено експериментальні дані, що доводять активаційний характер гістерезису вольт-амперних характеристик (ВАХ) в тунельних контактах з манганітами. Отримані результати пояснюються за допомогою специфіки оксидних бар’єрів, які утворюються на поверхні манганітів.

Experimental evidence is given for the activation character of the current-voltage characteristics (CVC) hysteresis in tunnel junctions with manganites. The obtained results are explained by specific oxide barriers formed on the surface of manganites

Показати повний запис статті