Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика и техника высоких давлений
→
Физика и техника высоких давлений, 2009 (том 19)
→
Физика и техника высоких давлений, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂

Моллаев, А.Ю. ; Камилов, И.К. ; Арсланов, Р.К. ; Залибеков, У.З. ; Арсланов, Т.Р. ; Новоторцев, В.М. ; Маренкин, С.Ф.

Інші назви: Баричні, температурні і магнітопольові залежності кінетичних коефіцієнтів у феромагнітному напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Baric, temperature and magnetic-field dependences of kinetic coefficients in ferromagnetic semiconductor Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂

Інший ID: PACS: 62.50.–p, 71.18.+y, 71.20.Nr, 72.80.Ey

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69219

Посилання: Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 111-115. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Підтримка: Работа выполнена при финансовой поддержке программы Президиума РАН «Теплофизика и механика экстремальных энергетических воздействий и физика сильно сжатого вещества», секция «Физика сильно сжатого вещества».

Дата: 2009

Завантажень: 363

Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂

Анотація:

Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазоне температур 77–450 K в ферромагнитном (ФМ) полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.

Досліджено баричні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Холла RH і поперечного магнітоопору Δρxx/ρ0 в магнітних полях H ≤ 5 kOe при підйомі і скиданні тиску в області кімнатних температур. Отримано температурні залежності ρ і RH при атмосферному тиску в діапазоні температур 77–450 K у феромагнітному (ФМ) напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.

The pressure dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been investigated for H ≤ 5 kOe at increasing and decreasing pressure at room temperature. In Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ the temperature dependences of ρ and RH have been defined in the temperature range 77–450 K at atmospheric pressure.

Показати повний запис статті