RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

dc.contributor.author	Тищенко, Е.Н.
dc.contributor.author	Михальская, С.И.
dc.contributor.author	Сергеева, Л.Е.
dc.date.accessioned	2014-07-20T07:03:09Z
dc.date.available	2014-07-20T07:03:09Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0564-3783
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652
dc.description.abstract	Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров.	uk_UA
dc.description.abstract	Вивчали вплив оксианіонів ванадію на геном сої (Glycine max L., Merr.) у стійкої до вольфраму (WR) клітинної лінії. Така лінія показує стійкість до оксианіонів V⁵⁺. Встановлено наявність однакових за розміром RAPD-ампліконів, які диференційно синтезуються з ДНК вихідного калюсу та WR-лінії, що послідовно культивується у присутності летальних доз оксианіонів W⁶⁺ і V⁵⁺. Припущено, що в геномі сої є локуси, підвищена нестабільність яких обумовлена дією різних стресорів.	uk_UA
dc.description.abstract	The effect of vanadium oxyanions on genome of soybean (Glycine max L., Merr.) in tungsten-resistant cell line was studied. The line is resistant to V⁵⁺-oxyanions. RAPD-amplicons with identical length are differentially synthesized from DNAs of tungsten-resistant cell line as well as of the initial culture was shown by using the lethal dose of oxyanions W⁶⁺ and then V⁵⁺. The presence of instable loci in soybean genome under different stressors is discussed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Цитология и генетика
dc.subject	Оригинальные работы	uk_UA
dc.title	RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия	uk_UA
dc.title.alternative	RAPD-аналіз клітинної лінії сої з перехресною стійкістю до оксианіонів вольфраму та ванадію	uk_UA
dc.title.alternative	RAPD-analysis of soybean cell line with cross-resistance to tungstem and vanadium oxyanions	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	57.085.23:575.22:582.736.3