Применение контролируемого анодного окисления для исследования наноструктурированных анодных пористых окисных пленок на алюминии

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2002
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2002, № 1
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Лебедева, Т.С.
dc.date.accessioned	2010-03-01T16:30:25Z
dc.date.available	2010-03-01T16:30:25Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Применение контролируемого анодного окисления для исследования наноструктурированных анодных пористых окисных пленок на алюминии / Т.С. Лебедева // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2002. — № 1. — С. 27-32. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1817-9908
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6356
dc.description.abstract	Работа посвящена разработке методик контролируемого анодного окисления для исследования кинетики роста и морфологии наноструктурированных анодных окисных пленок, их пористости и контроля высоты пор. Применение контролируемого анодного окисления в качестве метода экспресс-контроля при отработке технологии дало возможность исследовать особенности роста пористых пленок анодного окисла алюминия при различных режимах их формирования.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України	uk_UA
dc.title	Применение контролируемого анодного окисления для исследования наноструктурированных анодных пористых окисных пленок на алюминии	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	583.945, 539.216.2:691.5