Atomistic models for R1–xPrxBa2Cu3O7–δ (R = Y and lanthanides) and related oxides

Abstract

We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed.

Атомістичні методи імітаційного моделювання, основані на принципі мінімізації енергії, використані для вивчення структурних параметрів ряду орторомбічних R1–xPrxBa2Cu3O6.5 і пов'язаних з ними сполук. Нові міжатомні потенційні параметри взаємодії одержані для широкого діапазону оксидів, таких як CuO, R2O3, RBa2Cu3O6.5 і R1–xPrxBa2Cu3O6.5 (всього 62 сполуки). Одержані дані знаходяться в доброму узгoдженні з попередніми результатами експериментальних і теоретичних досліджень. Мета даної роботи – прогнозування решіточних потенціалів взаємодії, що можуть бути надалі використані як основа для теоретичного вивчення дефектної хімії надпровідних купратів та інших технологічно важливих оксидів.