Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

dc.contributor.author	Власенко, А.И.
dc.contributor.author	Власенко, З.К.
dc.date.accessioned	2014-02-15T18:13:23Z
dc.date.available	2014-02-15T18:13:23Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56291
dc.description.abstract	Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe	uk_UA
dc.title.alternative	Квантовий вихід межзонної випромінювальної рекомбінації в кристалах CdHgTe	uk_UA
dc.title.alternative	Quantum yield of interband radiative recombination in CdHgTe crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA