Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.contributor.author	Кравченко, А.И.
dc.contributor.author	Кондрик, А.И.
dc.contributor.author	Щербань, А.П.
dc.date.accessioned	2014-02-15T18:11:13Z
dc.date.available	2014-02-15T18:11:13Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290
dc.description.abstract	Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского	uk_UA
dc.title.alternative	Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського	uk_UA
dc.title.alternative	The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA