Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
Інші назви:
Ефекти перемикання та пам'яті в МОН-структурах Al-SiO₂-Si
Switching and memory effects in Al-SiO₂-Si MOS structures
Switching and memory effects in Al-SiO₂-Si MOS structures
Тема:
Материалы электроники
Посилання:
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
Дата:
2004
Переглядів:
1145
Завантажень:
647
Анотація:
Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.
