Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄

dc.contributor.author	Войцеховский, А.В.
dc.contributor.author	Несмелов, С.Н.
dc.contributor.author	Кульчицкий Н.А.
dc.date.accessioned	2014-01-25T11:07:42Z
dc.date.available	2014-01-25T11:07:42Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606
dc.description.abstract	Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄	uk_UA
dc.title.alternative	Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄	uk_UA
dc.title.alternative	The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA