Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

dc.contributor.author	Вакив, Н.М.
dc.contributor.author	Завербный, И.Р.
dc.contributor.author	Заячук, Д.М.
dc.contributor.author	Круковский, С.И.
dc.contributor.author	Мрыхин, И.О.
dc.date.accessioned	2014-01-23T00:05:37Z
dc.date.available	2014-01-23T00:05:37Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53574
dc.description.abstract	Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Установка електрохімічного профілювання для діагностування епітаксійних структур	uk_UA
dc.title.alternative	The electrochemical profiling arrangement for diagnostics of GaAs semiconductor structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA