Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Джафарова, Э.А.
dc.date.accessioned 2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.available 2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397
dc.description.abstract Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микро- и наноэлектроника uk_UA
dc.title Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе uk_UA
dc.title.alternative Нестаціонарні електронні процеси у бар'єрних структурах та прилади на їх основі uk_UA
dc.title.alternative Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices on their basis uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис