Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

dc.contributor.author	Босый, В.И.
dc.contributor.author	Коржинский, Ф.И.
dc.contributor.author	Семашко, Е.М.
dc.contributor.author	Середа, И.В.
dc.contributor.author	Середа, Л.Д.
dc.contributor.author	Ткаченко, В.В.
dc.date.accessioned	2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.available	2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53252
dc.description.abstract	Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Техника и технологии СВЧ	uk_UA
dc.title	Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах	uk_UA
dc.title.alternative	Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах	uk_UA
dc.title.alternative	The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA