Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

dc.contributor.author	Горев, Н.Б.
dc.contributor.author	Коджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.author	Привалов, Е.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-14T22:48:05Z
dc.date.available	2014-01-14T22:48:05Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52968
dc.description.abstract	Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA