Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Саидова, Р.А.
dc.contributor.author	Гиясова, Ф.А.
dc.contributor.author	Хайдаров, Ш.А.
dc.date.accessioned	2014-01-08T22:14:14Z
dc.date.available	2014-01-08T22:14:14Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52896
dc.description.abstract	Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев	uk_UA
dc.title.alternative	Оптимізація розподілення концентрації носіїв по товщиніепітаксійних шарів	uk_UA
dc.title.alternative	Optimization of the concentration's distribution of the carriers on thickness of epitaxial layers	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA