Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

dc.contributor.author	Ковалюк, З.Д.
dc.contributor.author	Катеринчук, В.Н.
dc.contributor.author	Нетяга, В.В.
dc.contributor.author	Заслонкин, А.В.
dc.date.accessioned	2014-01-08T18:56:26Z
dc.date.available	2014-01-08T18:56:26Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52876
dc.description.abstract	Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена	uk_UA
dc.title.alternative	Гетероперехід на основі кристалу FeIn₂Se₄, одержаного·за методом Бриджмена	uk_UA
dc.title.alternative	Heterojunction on the basis of FeIn₂Se₄ crystal obtained by the Bridgman method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA