Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD

dc.contributor.author	Глушко, А.А.
dc.contributor.author	Родионов, И.А.
dc.contributor.author	Макарчук, В.В.
dc.date.accessioned	2014-01-07T23:16:03Z
dc.date.available	2014-01-07T23:16:03Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD / А.А. Глушко, И.А. Родионов, В.В. Макарчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52830
dc.description.abstract	Рассмотрены особенности технологических процессов изготовления субмикронных КМОП СБИС и их моделирования. Особое внимание уделено моделированию примесного профиля.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD	uk_UA
dc.title.alternative	Моделювання технології виготовлення субмікронних КМОН НВІС за допомогою систем TCAD	uk_UA
dc.title.alternative	Technological processes modelling of submicron CMOS VLSI producing with the modern TCAD systems	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA