Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

dc.contributor.author	Ткачук, А.И.
dc.contributor.author	Царенко, О.Н.
dc.contributor.author	Рябец, С.И.
dc.contributor.author	Ткачук, И.Ю.
dc.contributor.author	Ковалёв, Ю.Г.
dc.date.accessioned	2014-01-05T20:31:00Z
dc.date.available	2014-01-05T20:31:00Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648
dc.description.abstract	Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶	uk_UA
dc.title.alternative	Отримання поверхнево-бар’єрних структур на основі чотирьохкомпонентних твердих розчинів А⁴В⁶	uk_UA
dc.title.alternative	The obtaining of barrier-surface structures on the base of А⁴В⁶ quaternary solid solutions	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA