Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Кушниренко, В.В. ; Нинидзе, Г.К. ; Павлюк, С.П. ; Савицкий, С.М. ; Третяк, О.В.

Інші назви: Вплив імпульсів прямою струму на час житія неосновних носіїв заряду у р⁺–n-діоді
Influence of pulses of a direct current on time of life of the not basic carriers of a charge in р⁺–n-diode

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52645

Посилання: Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Дата: 2007

Завантажень: 543

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Анотація:

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.

Показати повний запис статті