Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла

dc.contributor.author	Кавецкий, Т.С.
dc.contributor.author	Шпотюк, О.И.
dc.contributor.author	Литовченко, П.Г.
dc.contributor.author	Цмоць, В.М.
dc.date.accessioned	2014-01-04T18:28:37Z
dc.date.available	2014-01-04T18:28:37Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла / Т.С. Кавецкий, О.И. Шпотюк, П.Г. Литовченко, В.М. Цмоць // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 58-59. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52542
dc.description.abstract	Изучено влияние γ-излучения на структурную сетку халькогенидного стекла химического состава Ge1₁₅,₈As₂₁S₆₃,₂. Показано, что имеет место радиационно-индуцированное уменьшение хрупкости структурной сетки облученного образца.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла	uk_UA
dc.title.alternative	Радіаційна модифікація структурної сітки халькогеніднго скла	uk_UA
dc.title.alternative	Radiation modification of chalcogenide glass structural network	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA