Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

dc.contributor.author	Горев, Н.Б.
dc.contributor.author	Коджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.author	Привалов, Е.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-01T21:56:40Z
dc.date.available	2014-01-01T21:56:40Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52449
dc.description.abstract	Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Вольт-фарадні характеристики іонно-імплантованих струкіур GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Capacitance-voltage characteristics of GaAs ion-implanted structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA