Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния

dc.contributor.author	Дружинин, А.А.
dc.contributor.author	Марьямова, И.И.
dc.contributor.author	Кутраков, А.П.
dc.contributor.author	Павловский, И.В.
dc.date.accessioned	2014-01-01T21:36:56Z
dc.date.available	2014-01-01T21:36:56Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52443
dc.description.abstract	Исследованы тензометрические характеристики микрокристаллов кремния р-типа. Разработаны тензорезисторы для различных диапазонов низкой температуры, включая температуру жидкого гелия, а также для работы в сильных магнитных полях при 4,2 К.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния	uk_UA
dc.title.alternative	Тензорезистори для низьких температур на основі нитковидних кристалів кремнію	uk_UA
dc.title.alternative	Low-temperature strain gauges based on silicon whiskers	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA