Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Інші назви:
Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів
Specifies of the formed fast cover silica diodes
Specifies of the formed fast cover silica diodes
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Посилання:
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
Дата:
2008
Переглядів:
809
Завантажень:
498
Анотація:
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².
