Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

dc.contributor.author	Турцевич, А.С.
dc.date.accessioned	2013-12-30T23:07:45Z
dc.date.available	2013-12-30T23:07:45Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52391
dc.description.abstract	Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов	uk_UA
dc.title.alternative	Отримання напівізолюючого кремнію для високовольтних приладів	uk_UA
dc.title.alternative	Growing of semiinsulating Si tor high-voltage devices	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA