Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста

dc.contributor.author	Наливайко, О.Ю.
dc.contributor.author	Турцевич, А.С.
dc.date.accessioned	2013-12-29T22:28:06Z
dc.date.available	2013-12-29T22:28:06Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52332
dc.description.abstract	Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста	uk_UA
dc.title.alternative	Адсорбційно-кінетична модель осаджування плівок полікристалічного кремнію, легованих фосфором в процесі зростання	uk_UA
dc.title.alternative	The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process	uk_UA
dc.title.alternative	Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA