Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Кудрик, Я.Я.
dc.date.accessioned 2013-12-29T17:18:32Z
dc.date.available 2013-12-29T17:18:32Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52311
dc.description.abstract Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK uk_UA
dc.description.abstract Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.· uk_UA
dc.description.abstract Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микро- и наноэлектроника uk_UA
dc.title Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя uk_UA
dc.title.alternative Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою uk_UA
dc.title.alternative The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис