Модель линии передачи для наноэлектроники

dc.contributor.author	Нелин, Е.А.
dc.date.accessioned	2013-12-28T00:06:10Z
dc.date.available	2013-12-28T00:06:10Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Модель линии передачи для наноэлектроники / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 30-37. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52095
dc.description.abstract	Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.	uk_UA
dc.description.abstract	На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.	uk_UA
dc.description.abstract	Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Модель линии передачи для наноэлектроники	uk_UA
dc.title.alternative	Модель лінії передачі для наноелектроніки	uk_UA
dc.title.alternative	Transmission line model for nanoelectronics	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA