dc.contributor.author |
Болтовец, Н.С. |
|
dc.contributor.author |
Иванов, В.Н. |
|
dc.contributor.author |
Ковтонюк, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Раевская, Н.С. |
|
dc.contributor.author |
Беляев, А.Е. |
|
dc.contributor.author |
Бобыль, А.В. |
|
dc.contributor.author |
Конакова, Р.В. |
|
dc.contributor.author |
Кудрик, Я.Я. |
|
dc.contributor.author |
Миленин, В.В. |
|
dc.contributor.author |
Новицкий, С.В. |
|
dc.contributor.author |
Шеремет В.Н. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-22T00:20:58Z |
|
dc.date.available |
2013-12-22T00:20:58Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51975 |
|
dc.description.abstract |
Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Новые компоненты для электронной аппаратуры |
uk_UA |
dc.title |
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Діоди Ганна з InP з катодним контактом, що інжектує гарячі електрони. Частина 1. Міжфазні взаємодії в катодних контактах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons. Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |