Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

dc.contributor.author	Воронин, В.А.
dc.contributor.author	Губа, С.К.
dc.contributor.author	Курило, И.В.
dc.date.accessioned	2013-12-15T22:25:13Z
dc.date.available	2013-12-15T22:25:13Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906
dc.description.abstract	Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии	uk_UA
dc.title.alternative	Отримання арсенід-галієвих структур силових біполярних і польових транзисторів методом газофазної епітаксії	uk_UA
dc.title.alternative	Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA