Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

dc.contributor.author	Дружинин, А.А.
dc.contributor.author	Марьямова, И.И.
dc.contributor.author	Кутраков, А.П.
dc.contributor.author	Лях-Кагуй, Н.С.
dc.contributor.author	Маслюк, В.Т.
dc.contributor.author	Мегела, И.Г.
dc.date.accessioned	2013-12-14T21:24:32Z
dc.date.available	2013-12-14T21:24:32Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, В.Т. Маслюк, И.Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51887
dc.description.abstract	Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA