Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.date.accessioned	2013-12-14T21:10:48Z
dc.date.available	2013-12-14T21:10:48Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51881
dc.description.abstract	Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронные средства: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA