Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

Репозиторій DSpace/Manakin

dc.contributor.author	Гаркавенко, А.С.
dc.date.accessioned	2013-12-12T23:09:32Z
dc.date.available	2013-12-12T23:09:32Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51848
dc.description.abstract	Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю.	uk_UA
dc.description.abstract	The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	535.14:621.375.826