Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

dc.contributor.author	Алтухов, А.А.
dc.contributor.author	Афанасьев, М.С.
dc.contributor.author	Зяблюк, К.Н.
dc.contributor.author	Митягин, А.Ю.
dc.contributor.author	Талипов, Н.Х.
dc.contributor.author	Чучева, Г.В.
dc.date.accessioned	2013-12-12T22:59:27Z
dc.date.available	2013-12-12T22:59:27Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51845
dc.description.abstract	Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода.	uk_UA
dc.description.abstract	Запропоновано метод термообробки у водні природних та вирощених методом CVD кристалів алмазу, який може служити альтернативою загальноприйнятому методу формування Н-шару в НВЧ-плазмі водню як більш простий і відтворюваний. Встановлено межу термічної стабільності гідрованої алмазної поверхні. Показано, що алюміній, напилений на гідровану при термообробці у водні алмазну поверхню, може служити як затвір Шотки в польових НВЧ-транзисторах, виготовлених за технологією MESFET.	uk_UA
dc.description.abstract	A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза	uk_UA
dc.title.alternative	Формування дельта-легованого воднем р-шару в природних та CVD-кристалах алмазу	uk_UA
dc.title.alternative	Formation of delta-doped p-layer of hydrogen in natural and CVD-diamond crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.3