Гаркавенко, А.С.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.