Алиева, А.П.; Кахраманов, К.Ш.; Кахраманов, С.Ш.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов.