Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Гаврыш, В.И.
dc.contributor.author Косач, А.И.
dc.date.accessioned 2013-12-08T01:45:40Z
dc.date.available 2013-12-08T01:45:40Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760
dc.description.abstract Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. uk_UA
dc.description.abstract За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій. uk_UA
dc.description.abstract The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Обеспечение тепловых режимов uk_UA
dc.title Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств uk_UA
dc.title.alternative Моделювання температурних режимов в елементах мікроелектронних пристроїв uk_UA
dc.title.alternative Simulation of temperature conditions in the elements of microelectronic devices uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис