Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe

Мостовой, А.И. ; Брус, В.В. ; Марьянчук, П.Д. ; Ульяницкий, К.С.

Інші назви: Електричні властивості анізотипннх гетеропереходів n-TiO₂:Mn/p-CdTe
Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO₂:Mn/p-CdTe

Тема: Материалы электроники

УДК: 621.315.592

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51741

Посилання: Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Дата: 2013

Завантажень: 945

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe

Анотація:

Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.

Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу.

The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established.

Показати повний запис статті