Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Каримов, А.В.
dc.contributor.author Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author Гиясова, Ф.А.
dc.contributor.author Мирджалилова, М.А.
dc.contributor.author Асанова, Г.О.
dc.contributor.author Абдулхаев, О.А.
dc.contributor.author Мухутдинов, Ж.Ф.
dc.date.accessioned 2013-12-07T20:20:26Z
dc.date.available 2013-12-07T20:20:26Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.citation Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735
dc.description.abstract Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. uk_UA
dc.description.abstract Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. uk_UA
dc.description.abstract The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микро- и наноэлектроника uk_UA
dc.title Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами uk_UA
dc.title.alternative Дослідження процесу формування струмових характеристик кремнієвого фотодіода з випрямляючими бар'єрами uk_UA
dc.title.alternative Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.383.52;535.243


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис