Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Каримов, А.В. |
|
dc.contributor.author |
Ёдгорова, Д.М. |
|
dc.contributor.author |
Гиясова, Ф.А. |
|
dc.contributor.author |
Мирджалилова, М.А. |
|
dc.contributor.author |
Асанова, Г.О. |
|
dc.contributor.author |
Абдулхаев, О.А. |
|
dc.contributor.author |
Мухутдинов, Ж.Ф. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-07T20:20:26Z |
|
dc.date.available |
2013-12-07T20:20:26Z |
|
dc.date.issued |
2013 |
|
dc.identifier.citation |
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735 |
|
dc.description.abstract |
Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
uk_UA |
dc.title |
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Дослідження процесу формування струмових характеристик кремнієвого фотодіода з випрямляючими бар'єрами |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.383.52;535.243 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті