Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

Abstract

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.

Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт.

An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W.