Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

dc.contributor.author	Ермоленко, Е.А.
dc.contributor.author	Бондаренко, А.Ф.
dc.contributor.author	Баранов, А.Н.
dc.date.accessioned	2013-12-07T00:57:23Z
dc.date.available	2013-12-07T00:57:23Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51705
dc.description.abstract	В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значении параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры.	uk_UA
dc.description.abstract	Теплова математична модель використовується для оцінки саморозігріву напівпровідникових приладів різних типів в процесі вимірювання їх ВАХ імпульсним способом. Проаналізовано вплив саморозігріву на електричні параметри напівпровідникових приладів. Сформульовано рекомендації з вибору значень параметрів вимірювальної імпульсної послідовності, використання яких дозволяє мінімізувати саморозігрів напівпровідникової структури.	uk_UA
dc.description.abstract	The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронные средства: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом	uk_UA
dc.title.alternative	Теплова математична модель напівпровідникових приладів при вимірюванні вольт-амперних характеристик імпульсним способом	uk_UA
dc.title.alternative	Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.317: 621.3.08