Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Крючин, А.А. |
|
dc.contributor.author |
Костюкевич, С.А. |
|
dc.date.accessioned |
2013-10-20T19:00:25Z |
|
dc.date.available |
2013-10-20T19:00:25Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации / А.А. Крючин, С.А. Костюкевич // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 1. — С. 3-11. — Бібліогр.: 24 назв. — pос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-9189 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/50430 |
|
dc.description.abstract |
Представлены результаты исследований процессов получения наноразмерных рельефных структур с использованием методов неорганической лазерной фотолитографии. Показана перспективность применения неорганических фоторезистов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования рельефных наноструктур с размерами десятки нанометров, обобщен опыт использования неорганических фоторезистов в процессе мастеринга компакт-дисков. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Представлено результати досліджень процесів отримання нанорозмірних рельєфних структур з використанням методів неорганічної лазерної фотолітографії. Показано перспективність застосування неорганічних фоторезистів на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників для формування рельєфних наноструктур з розмірами десятки нанометрів, узагальнений досвід використання неорганічних фоторезистів у процесі мастерингу компакт-дисків. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The results of researches of formation processes of relief nanostructures by using methods of inorganic laser photolithography are presented. It is shown that the application of inorganic photoresists on the basis of chalcogenide vitreous semiconductors for forming relief nanostructures with the sizes of tens of nanometers is promising, experience of using of inorganic photoresists in the process of CD mastering is summarized. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Авторы выражают глубокую благодарность сотрудникам Институтов проблем регистрации информации НАН Украины и физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины за помощь в изготовлении образцов носителей информации, осуществлении записи информации и их последующей обработки, а также за плодотворное обсуждение результатов исследований. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|
dc.subject |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
uk_UA |
dc.title |
Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Аналіз методів отримання нанорозмірних рельєфних структур на поверхні носіїв інформації |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Analysis of Methods of Forming Relief Nanostructures on the Surface of Data Carriers |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
004.085 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті