Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Макара, В.А.
dc.contributor.author Стебленко, Л.П.
dc.contributor.author Кріт, О.М.
dc.contributor.author Калініченко, Д.В.
dc.contributor.author Курилюк, А.М.
dc.contributor.author Науменко, С.М.
dc.date.accessioned 2013-09-19T20:22:10Z
dc.date.available 2013-09-19T20:22:10Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, О.М. Кріт, Д.В. Калініченко, А.М. Курилюк, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 71-74. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1025-6415
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49490
dc.description.abstract Виявлено особливості в динамічній поведінці дислокацій, які проявляються при самостійній дії рентгенівського випромінювання, а також при комбінованому (рентгенівському і магнітному) впливі на кристали кремнію. Встановлені зміни в мікропластичних характеристиках кристалів кремнію аналізуються з точки зору стимулювання рентгенівською та магнітною дією міждефектних перетворень. uk_UA
dc.description.abstract Выявлены особенности в динамическом поведении дислокаций, которые проявляются при самостоятельном действии рентгеновского излучения, а также при комбинированном (рентгеновском и магнитном) влиянии на кристаллы кремния. Установленные изменения в микропластических характеристиках кристаллов кремния анализируются с точки зрения стимулирования рентгеновским и магнитным действием междефектных превращений. uk_UA
dc.description.abstract The dynamic behavior of dislocations under the influence of X-ray radiation and the combined (X-ray + magnetic field) influence on silicon crystals is investigated. The changes in microplastic characteristics of silicon crystals are analyzed under the assumption of interdefect transformations. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Доповіді НАН України
dc.subject Фізика uk_UA
dc.title Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію uk_UA
dc.title.alternative Обусловленные действием рентгеновского излучения и магнитного поля особенности динамического поведения дислокаций в кристаллах кремния uk_UA
dc.title.alternative The dynamic behavior of dislocations in silicon crystals caused by the action of X-rays and a magnetic field uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 548.4;548.0:539.3.8


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис