Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Житарюк, В.Г. ; Годованюк, В.М. ; Докторович, І.В.

Тема: Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях

УДК: 537.611

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32230

Посилання: Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Дата: 2009

Завантажень: 819

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Анотація:

Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.

Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Name: 23-Zhitaryuk.pdf

Розмір: 145.7Кб

Формат: PDF

Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології, 2009, № 1 [40]

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Репозиторій DSpace/Manakin

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Анотація:

Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис