Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Домашня сторінка
→
Хімічні та біологічні науки
→
Відділення хімії
→
Хімія, фізика та технологія поверхні (журнал)
→
Хімія, фізика та технологія поверхні, 2010 (том 1)
→
Хімія, фізика та технологія поверхні, 2010, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Terebinska, M.I.
dc.contributor.author	Lobanov, V.V.
dc.contributor.author	Grebenyuk, A.G.
dc.date.accessioned	2011-11-27T16:02:36Z
dc.date.available	2011-11-27T16:02:36Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	2079-1704
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28983
dc.description.abstract	Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G* basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules.	uk_UA
dc.description.abstract	Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул.	uk_UA
dc.description.abstract	Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Хімія, фізика та технологія поверхні
dc.subject	Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл	uk_UA
dc.title	Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface	uk_UA
dc.title.alternative	Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію	uk_UA
dc.title.alternative	Напряженность электростатического поля вблизи неоднородностей на поверхности пористого кремния	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	544.723