На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с ...

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной ...

Проведен анализ современного состояния и тенденций развития малошумящих систем когерентного приема, предназначенных для использования на длинах электромагнитных волн короче 1 мм. Рассмотрены основные особенности гетеродинных ...

В статье рассмотрены твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона. Твердотельные генераторы на этих частотах не могут обеспечить необходимый уровень мощности, поэтому требуются умножители ...

Теоретически исследуется возможность изменения контурного КПД колебательной системы магнетронов на пространственной гармонике за счет внесения в нее малых искажений. Изменение холодных характеристик колебательной системы ...